【MOSFET 晶体管】NTMFS015N10MCLT1G，NVMFS5C638NLT1G，NVMFS5C430NLAFT1G
一、NTMFS015N10MCLT1G：100V 单N 通道功率 MOSFET 晶体管FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10.5A（Ta），54A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：12.2mOhm @ 14A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 282µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：19 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：13380 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）：3W（Ta），79W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线
二、NVMFS5C638NLT1G：适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET 晶体管
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：26A（Ta），133A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：40.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2880 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：4W（Ta），100W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线
三、NVMFS5C430NLAFT1G：40V 单 N 沟道，功率 MOSFET 晶体管
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：38A（Ta），200A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.4 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：70 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4300 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），110W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线
深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件！
【MOSFET 晶体管】NTMFS015N10MCLT1G，NVMFS5C638NLT1G，NVMFS5C430NLAFT1G（供应，回收）
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