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[供应] HK宏空CRAM梦幻磁介质存储器介绍

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发表于 2018-11-13 11:47:26 | 显示全部楼层 |阅读模式

HK-CRAM系列梦幻磁介质存储器是一场非易失性存储器的革命,是对于非易失存储器依赖于电池的突破,是对于FLASH存储器读写次数限制及页面编程擦写模式限制的突破。其即保持了并口的单字节无限次数读写及对SRAM、FLASH、NVRAM等直接替代的方便性,又摒弃了保持数据对电池的依赖,同时克服了FLASH及EPROM编程及擦写的复杂性,是一款无语伦比的集可靠、方便、环保、高速、经济于一身的革命性存储介质。

工作原理     
HONG KONG  CRAM存储器内部结构由一个晶体管加一个MTJ (磁性隧道结存储单元)构成。MTJ内部有三个层面,如图 1.1所示,最上面的层为自由层,中间的是隧道结,下面的是固定层。自由层的磁场极化方向是可以改变的,而固定层的磁场方向固定不变。当自由层与固定层的磁场方向平行时,存储单元呈现低电阻;当磁场方向相反时,呈现高电阻。MRAM通过检测存储单元电阻的高低,来判断所存储的数据是 0 还是 1。此一磁阻效应可使CRAM不需改变内存状态,便能快速读取数据

图 1.1 CRAM 存储单元的结构
图 1.2更加清楚地展示了CRAM存储单元的结构和读写方法。图中下方左侧是一个晶体管,当它导通时,电流可流过存储单元MTJ(磁性隧道结),通过与参考值进行比较,判断存储单元阻值的高低,从而读出所存储的数据。当晶体管关断时,电流可流过编程线 1 和编程线 2,在它们所产生的编程磁场的共同作用下,使自由层的磁场方向发生改变,从而完成编程的操作。
图1.2 CRAM的存储单元结构即读 / 与模式

CRAM特性
z  CRAM 读取/写入周期时间:35ns;
z  真正无限次擦除使用;
z  业内最长的寿命和数据保存时间——超过 20 年的非挥发特性;
z  单芯片最高容量为 64Mb;
z  快速、简单接口——16位或 8 位并行 SRAM、40MHz 高速串行 SPI接口;
z  具有成本效益——简单到只有一个晶体管、一个磁性穿隧结(1T-1MTJ)位单元;
z  最佳等级的软错误率——远比其它内存优异;
z  可取代多种存储器——集闪存、SRAM、EEPROM、nvRAM、以及 BBSRAM 的功能于一身;
z  具备商业级、工业级、扩展级和汽车级的可选温度范围;
z  符合 RoHS规范:无电池、无铅;
z  小封装:TSOP、VGA、DFN、DIP;
z  提供3.3V和5V两种工作环境

CRAM型号

容量

对应SRAM

对应FLASH

对应NVRAM

CRAM1245-5

128K×8

628128

29F010

HK1245

CRAM1255-5

512K×8

628512

29F040

HK1255

CRAM1265-5

256K×8

628256

——

HK1265

CRAM1275-7

1M×8

6281000

29F080

HK1275

CRAM1285-5

2M×8

6282000

49BV1630

HK1285

CRAM1295-5

8M×8

6288000

NANDFLASH

HK1295

CRAM12A5-5

4M×8

6284000

——

HK12A5

深圳市动能世纪科技有限公司
Action Dynamic Tech.(HK) Trading Co.
联系人:黄工

Tel:18025398186     QQ:2355239055

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