工作原理
HONG KONG CRAM存储器内部结构由一个晶体管加一个MTJ (磁性隧道结存储单元)构成。MTJ内部有三个层面,如图 1.1所示,最上面的层为自由层,中间的是隧道结,下面的是固定层。自由层的磁场极化方向是可以改变的,而固定层的磁场方向固定不变。当自由层与固定层的磁场方向平行时,存储单元呈现低电阻;当磁场方向相反时,呈现高电阻。MRAM通过检测存储单元电阻的高低,来判断所存储的数据是 0 还是 1。此一磁阻效应可使CRAM不需改变内存状态,便能快速读取数据
CRAM特性
z CRAM 读取/写入周期时间:35ns;
z 真正无限次擦除使用;
z 业内最长的寿命和数据保存时间——超过 20 年的非挥发特性;
z 单芯片最高容量为 64Mb;
z 快速、简单接口——16位或 8 位并行 SRAM、40MHz 高速串行 SPI接口;
z 具有成本效益——简单到只有一个晶体管、一个磁性穿隧结(1T-1MTJ)位单元;
z 最佳等级的软错误率——远比其它内存优异;
z 可取代多种存储器——集闪存、SRAM、EEPROM、nvRAM、以及 BBSRAM 的功能于一身;
z 具备商业级、工业级、扩展级和汽车级的可选温度范围;
z 符合 RoHS规范:无电池、无铅;
z 小封装:TSOP、VGA、DFN、DIP;
z 提供3.3V和5V两种工作环境