IPB072N15N3G，VNS14NV04TR和VNH5050ATR周五优势

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IPB072N15N3G   N沟道场效应管
规格：

FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	8V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	7.2 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 270μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	93nC @ 10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	5470pF @ 75V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	300W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装
供应商器件封装	PG-TO263-3-2
封装/外壳	TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

VNS14NV04TR   PMIC - 配电开关，负载驱动器
规格：

开关类型	通用
输出数	1
比率 - 输入:输出	1：1
输出配置	低端
输出类型	N 通道
接口	开/关
电压 - 负载	36V（最大）
电压 - 电源（Vcc/Vdd）	不需要
电流 - 输出（最大值）	12A
导通电阻（典型值）	35 毫欧（最大）
输入类型	非反相
特性	-
故障保护	限流（固定），超温，过压
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装	8-SO

VNH5050ATR  PMIC - 电机驱动器，控制器
产品规格:

电机类型 - AC，DC	有刷直流
功能	驱动器 - 全集成，控制和功率级
输出配置	半桥（2）
接口	并联，PWM
技术	功率 MOSFET
步进分辨率	-
应用	汽车级
电流 - 输出	30A
电压 - 电源	5.5V ~ 18V
电压 - 负载	5.5V ~ 18V
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	36-BFSOP（0.295"，7.50mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装	PowerSSO-36

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