技术资料AON7426，5M570ZT100I5N，5M240ZT100C5N

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AOS分立半导体  AON7426  N沟道场效应管规格：

FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	18A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	5.5 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.35V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	115nC @ 10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2120pF @ 15V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.1W（Ta），29W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装
供应商器件封装	8-DFN（3x3）
封装/外壳	8-PowerVDFN

5M570ZT100I5N 嵌入式 - 微控制器
规格：

可编程类型	系统内可编程
延迟时间 tpd（1）最大值	9ns
电源电压 - 内部	1.71V ~ 1.89V
逻辑元件/块数	570
宏单元数	440
I/O 数	74
工作温度	-40°C ~ 100°C（TJ）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	100-TQFP
供应商器件封装	100-TQFP（14x14）

复杂可编程逻辑器件 5M240ZT100C5N
规格：

可编程类型	系统内可编程
延迟时间 tpd（1）最大值	7.5ns
电源电压 - 内部	1.71V ~ 1.89V
逻辑元件/块数	240
宏单元数	192
I/O 数	79
工作温度	0°C ~ 85°C（TJ）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	100-TQFP
供应商器件封装	100-TQFP（14x14）