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[供应] 现货供应MJD210T4G、IPB017N10N5LF 晶体管

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发表于 2020-8-28 13:37:09 | 显示全部楼层 |阅读模式

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深圳市明佳达电子公司现货供应   MJD210T4G、IPB017N10N5LF  晶体管   大量原装正品   质量上乘   价格优惠   有意者欢迎致电咨询


产品参数:
一、MJD210T4G   晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个:
晶体管类型        PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)        5A
电压 - 集射极击穿(最大值)        25V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)        1.8V @ 1A,5A
电流 - 集电极截止(最大值)        100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)        45 @ 2A,1V
功率 - 最大值        1.4W
频率 - 跃迁        65MHz
工作温度        -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型        表面贴装型
封装/外壳        TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装        DPAK



二、IPB017N10N5LF  晶体管 - FET,MOSFET - 单个:
FET 类型        N 通道
技术        MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)        100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)        180A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)        10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)        1.7 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)        4.1V @ 270μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)        195nC @ 10V
Vgs(最大值)        ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)        840pF @ 50V
FET 功能        -
功率耗散(最大值)        313W(Tc)
工作温度        -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型        表面贴装型
供应商器件封装        PG-TO263-7
封装/外壳        TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片)



公司其他热销产品:
PI3EQX6801ZDEX
S10P40GP
DF06S2
NA0069RLF
MUR420RLG
MC33161DR2G
AP2182SG-13
APL1117VC-TRG
PKC16BB
GD25Q16CSIGR
TPS2042BDR
AP2192AMPG-13
MAX3237EEAI+
MAX4272ESA+
MJD210T4G
GD25B64CSIGR
MX25U8033EM1I-12G
MAX3160EEAP+
M24C64-RMN6TP
GD25Q80CTIGR
GD25LB64CSIGR
NCP303151MNTWG
TSM-105-01-T-DV-P-TR
TSM-104-01-F-SV-P-TR
DS125BR401ANJYR
IPB017N10N5LF
ASP-180729-01
HSEC8-170-01-S-DV-A-TR
FTSH-120-01-L-DV-P-TR



网上标价持有不确定性,价格请以当天报价为准,如需了解更多有关产品信息,欢迎随时联络我们!!!

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