IPB072N15N3G，VNS14NV04TR和VNH5050ATR周五优势
IPB072N15N3G N沟道场效应管规格：
FET 类型N 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）8V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）7.2 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 270μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）93nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）5470pF @ 75V
FET 功能-
功率耗散（最大值）300W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装PG-TO263-3-2
封装/外壳TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
VNS14NV04TR PMIC - 配电开关，负载驱动器
规格：
开关类型通用
输出数1
比率 - 输入:输出1：1
输出配置低端
输出类型N 通道
接口开/关
电压 - 负载36V（最大）
电压 - 电源（Vcc/Vdd）不需要
电流 - 输出（最大值）12A
导通电阻（典型值）35 毫欧（最大）
输入类型非反相
特性-
故障保护限流（固定），超温，过压
工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）
封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装8-SO
VNH5050ATRPMIC - 电机驱动器，控制器
产品规格:
电机类型 - AC，DC有刷直流
功能驱动器 - 全集成，控制和功率级
输出配置半桥（2）
接口并联，PWM
技术功率 MOSFET
步进分辨率-
应用汽车级
电流 - 输出30A
电压 - 电源5.5V ~ 18V
电压 - 负载5.5V ~ 18V
工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
封装/外壳36-BFSOP（0.295"，7.50mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装PowerSSO-36
周五优势出IPB072N15N3G，VNS14NV04TR和VNH5050ATR等集成IC，保证正品行货，有需求的商友可在下方留言，或者直接联系明佳达电子。
页:
[1]