技术资料AON7426，5M570ZT100I5N，5M240ZT100C5N
AON7426，5M570ZT100I5N，5M240ZT100C5N最新电子技术资料，都是工作人员从网上搜寻整理，仅供参考，要货的请联系明佳达电子客服人员。AOS分立半导体AON7426N沟道场效应管规格：
FET 类型N 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）18A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）5.5 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.35V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）115nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2120pF @ 15V
FET 功能-
功率耗散（最大值）3.1W（Ta），29W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装8-DFN（3x3）
封装/外壳8-PowerVDFN
5M570ZT100I5N 嵌入式 - 微控制器
规格：
可编程类型系统内可编程
延迟时间 tpd（1）最大值9ns
电源电压 - 内部1.71V ~ 1.89V
逻辑元件/块数570
宏单元数440
I/O 数74
工作温度-40°C ~ 100°C（TJ）
安装类型表面贴装
封装/外壳100-TQFP
供应商器件封装100-TQFP（14x14）
复杂可编程逻辑器件 5M240ZT100C5N
规格：
可编程类型系统内可编程
延迟时间 tpd（1）最大值7.5ns
电源电压 - 内部1.71V ~ 1.89V
逻辑元件/块数240
宏单元数192
I/O 数79
工作温度0°C ~ 85°C（TJ）
安装类型表面贴装
封装/外壳100-TQFP
供应商器件封装100-TQFP（14x14）
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