TPCA8064-H TPCC8062-H.L1Q及TMP86FH46ANG东芝
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一般规格信息
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）20A（Ta）
驱动电压4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On8.2 毫欧 ， 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）2.3V， 200μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）23nC ， 10V
Vgs±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）1900pF ， 10V
FET 功能-
功率耗散（最大值）1.6W（Ta），32W（Tc）
工作温度150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳8-PowerVDFN
实物图：
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