CY7C1474V25-200BGC储存/存储器IC
大量现货，CY7C1474V25-200BGC储存/存储器IC，自营货源。一般规格信息：
存储器类型 易失
存储器格式 SRAM
技术 SRAM - 同步，SDR
存储容量 72Mb （1M x 72）
存储器接口 并联
时钟频率 200MHz
写周期时间 - 字，页 -
访问时间 3ns
电压 - 电源 2.375V ~ 2.625V
工作温度 0°C ~ 70°C（TA）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 209-BGA
供应商器件封装 209-FBGA（14x22）
芯片特点介绍：
管脚兼容和功能上等同于ZBT
支持200MHz的总线操作零等待状态
——可用速度等级是200和167 MHz的
在内部自定时输出缓冲器控制，这样就不需要使用异步OE
完全注册（输入和输出）进行流水线操作
字节写能力
2.5 V单电源供电
2.5 V的I / O电压（VDDQ)
快时钟到输出时间
——3.0纳秒（ 200 - MHz器件）
时钟使能（ CEN ）引脚停业
同步自定时写
CY7C1470V25在JEDEC标准的无铅100引脚可用TQFP无铅和无无铅165球FBGA封装。CY7C1472V25在JEDEC标准的无铅100引脚可用TQFP 。 CY7C1474V25无铅和无无铅可用209球FBGA封装
IEEE 1149.1 JTAG边界扫描兼容
连拍能力 - 线性或交错突发订单
“ ZZ ”睡眠模式选项和停止时钟选项
自货产品，实单单价可详谈，具体可联系明佳达陈先生。
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