现货供应MJD210T4G、IPB017N10N5LF 晶体管
深圳市明佳达电子公司现货供应 MJD210T4G、IPB017N10N5LF晶体管 大量原装正品 质量上乘 价格优惠 有意者欢迎致电咨询产品参数：
一、MJD210T4G 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个：
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 5A
电压 - 集射极击穿（最大值） 25V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） 1.8V @ 1A，5A
电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） 45 @ 2A，1V
功率 - 最大值 1.4W
频率 - 跃迁 65MHz
工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装 DPAK
二、IPB017N10N5LF晶体管 - FET，MOSFET - 单个：
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.7 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.1V @ 270μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 195nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 840pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 313W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO263-7
封装/外壳 TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片）
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TSM-104-01-F-SV-P-TR
DS125BR401ANJYR
IPB017N10N5LF
ASP-180729-01
HSEC8-170-01-S-DV-A-TR
FTSH-120-01-L-DV-P-TR
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