采购串口存储器《MR25H10MDC、MR25H10MDF、MR20H40CDF、MR25H40MDF》
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MR25H10MDC：工作温度范围为-40 to +125,车规级芯片，设计符合AEC-Q100 认证汽车级集成IC，可用于汽车电子产品，封装为SOP-8,接口类型为SPI，具有非易失性跟高耐擦写，可以保持数据20年以上数据不丢失，典型的断电不丢失数据，可以作为替换SRAM及DRAM的内存解决方案。
MR25H10MDF：是一款非易失性磁阻式RAM，容量为1Mb （128K x 8），MR25H10MDF是MRAM器件，因此写操作的速度比Flash或EEPROM都要快。快速写入对于需要频繁执行写操作的数据密集或数据记录应用至关重要，存储设备内元数据的捕获、环境数据的测量或RAID系统的日志存储器等都是这类应用。
MR20H40CDF：是磁阻随机存取存储器（MRAM）设备系列，对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序，它们是理想的内存解决方案。它们具有串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序，没有写延迟，并且读/写寿命不受限制。与其他串行存储器不同，使用MR2xH40系列，读取和写入都可以在内存中随机发生，而写入之间没有延迟。
MR25H40MDF：这款是一款车规级的串口MRAM,封装为8-DFN sf，目标应用为工业自动化、机器人、网络和数据储存、多功能打印机、以及其它许多传统受限于需采用SRAM设计的系统。拥有出色的耐读/写能力，在工作温度范围内数据保持期长达20年以上而不会丢失。这款串口MRAM的存储芯片可替代系统中的闪存、SRAM、EEPROM和BBSRAM，获得更简单、高效的设计，也是替代电池供电的SRAM解决方案。
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