STH4618SP完美替代EFC4618R双N沟道功率MOS，20V6A，内阻15mΩ
STH4618SP使用先进的沟槽技术提供优秀的RSS(ON)、低门充电和低至2.5V的操作，同时保持12VVGS(MAX)额定电压。它受到了ESD的保护。该装置适用于单向或双向负载开关，方便其共同负载配置。最低包装数量：3000PCS每盘
应用：锂离子电池充放电开关
源极到源极电压：20V
栅极到源极电压：±12V
源极电流（直流电）：6A
源极电流（脉冲）：60A
总损耗：1.6W
沟道温度：150℃
STH4612SP完美替代安森美EFC4612R双N沟道功率MOS，24V6A，内阻45mΩ
STH4618SP完美替代安森美EFC4618R双N沟道功率MOS，20V6A，内阻15mΩ
STH1227SP完美替代松下FCAB21490L双N沟道功率MOS，12V27A，内阻2.5mΩ
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