赛芯微 替代精工S8261 DW01，反向连接保护XB8886A
深圳市尊信电子技术有限公司马小姐：13723702940微信同号欢迎咨询索样
Xb8886A系列产品是一款高性价比的产品。锂集成解决方案-离子/聚合物电池保护。Xb8886A含有高级电源MOSFET，高精度电压检测电路和延迟电路。技术支持样品申请：曹生13670239652QQ525181210该设备不仅针对数字手机，还有任何其他锂离子和锂离子电池供电需要长期使用的信息器具-电池续航时间。电池反向保护连接集成先进功率MOSFET相当于8.5m′SS(ON)·SOp8-PP包·只有一个外部电容器必需的·超温保护·过充电流保护两步过流检测：-过充电流-负载短路·充电器检测功能·0V电池充电功能-内部产生延迟时间·高精度电压检测·低电流消耗-操作模式：7.8μA型。-断电模式：4.5μA型Xb8886A监控电压和电压。电池的电流，并保护它免受由于过充电压而损坏，过放电电压，过放电电流和短路情况，通过将电池与负载断开或充电器。这些功能在为了操作电池内的电池规定的限制。该设备只需要一个外部设备。电容。MOSFET是集成的和其反射率（ON）低至8.5m×典型。正常工作模式如果没有检测到异常情况，可进行充放电这个条件被称为正常工作模式。过充条件当电池电压升高时过充检测电压（V-CU）在正常情况下充电期间而政府还在继续收取过高的费用检测延迟时间（t CU）或更长Xb8886A转动充电控制场效应管停止充电，这种情况叫做过充条件过充条件条件在以下两个中释放案件：1、当电池电压降至以下时过充释放电压（V CL），Xb8886A转动充电控制场效应管打开并返回到正常状态。2、当负载连接时放电开始，Xb8886A转动充电控制FET打开并返回到正常情况释放机制如下：放电电流流量通过内部寄生二极管的加载后立即对FET充电连接和放电开始，和VM引脚电压增加约0.7 V（二极管的正向电压）GND引脚电压瞬间。Xb8886A检测到这个电压并释放过充状态。因此，在电池电压等于或低于过充检测电压（电压），Xb8886A返回到立即恢复正常，但在电池电压高于过充检测电压（电压），芯片不恢复到正常状态直到电池电压下降到低于过充电检测电压（电压）即使在负载是连接的。
页:
[1]