NTMFS4C024NT1G_NTMFS4C029NT1G N沟道 MOSFET 晶体管
本帖最后由 xingjijinhua 于 2022-4-28 16:17 编辑供应NTMFS4C024NT1G_NTMFS4C029NT1G N沟道 MOSFET 晶体管只做原装现货库存 有需求请联系QQ1668527835
型号:NTMFS4C024NT1G、NTMFS4C029NT1G
批次:新21+
参数：
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 78 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V
Qg-栅极电荷: 30 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 6.6 W
应用
电机驱动器
DC-DC转换器
电机驱动器
DC-DC转换器
电源负载开关
电池管理
深圳市星际金华实业有限公司网址www.xjjhic.com
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