（封装TO-263-3）PSMN4R8-100BSE N通道MOSFET晶体管
深圳市明佳达电子 / 星际金华公司 长期供应及回收芯片：PSMN4R8-100BSE N通道MOSFET晶体管（封装TO-263-3）供应PSMN4R8-100BSE：原装现货，质量保证，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天报价为准！
回收PSMN4R8-100BSE：只需原装芯片，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！
深圳市明佳达电子有限公司www.hkmjd.com
深圳市星际金华实业有限公司www.xjjhic.com
有兴趣的朋友，请联系陈先生 QQ：1668527835
【供应】【回收】
PSMN4R8-100BSE -- 表面贴装型 N 通道 100 V 120A（Tj） 405W（Tc） D2PAK
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.8 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：278 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14400 pF @ 50 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：405W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：D2PAK
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
页:
[1]