器件：IMW120R007M1HXKSA1（IMW120R007M1H）N通道碳化硅单管
器件：IMW120R007M1HXKSA1（IMW120R007M1H）N通道碳化硅单管型号：IMW120R007M1HXKSA1（IMW120R007M1H）
封装：TO-247-3
类型：N通道碳化硅单管
产品参数：
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：225A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9.9 毫欧 @ 108A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.2V @ 47mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：220 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+20V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：9170 nF @ 25 V
功率耗散（最大值）：750W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO247-3
IMW120R007M1HXKSA1（IMW120R007M1H）：通孔 N 通道 1200 V 225A（Tc） 750W（Tc） PG-TO247-3。
明佳达电子，星际金华公司（供应和回收）IMW120R007M1HXKSA1（IMW120R007M1H），有兴趣的朋友，欢迎随时联络我们！
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