FS03MR12A6MA1LBBPSA1，FS03MR12A6MA1LB （3相桥）6N-沟道碳化硅模块
FS03MR12A6MA1LBBPSA1，FS03MR12A6MA1LB（3相桥）6N-沟道碳化硅模块规格参数：
FET 类型：6 N-沟道（3 相桥）
FET 功能：碳化硅（SiC）
漏源电压（Vdss） ：200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：400A
不同 Id、Vgs 时导通电阻：3.7 毫欧 @ 400A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)：5.55V @ 240mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg) : 1320nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss：42.5nF @ 600V
功率：20mW
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块
供应商器件封装"AG-HYBRIDD-2
（供应和求购）FS03MR12A6MA1LBBPSA1，FS03MR12A6MA1LB（3相桥）6N-沟道碳化硅模块。
深圳明佳达电子，星际金华公司 长期供应及回收（3相桥）6N-沟道碳化硅模块 FS03MR12A6MA1LBBPSA1，FS03MR12A6MA1LB。
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