IMW120R040M1H_IMW120R040M1HXKSA1，IMW120R007M1H_IMW120R007M1HXKSA1 [晶体管]
（回收、供应）IMW120R040M1H_IMW120R040M1HXKSA1，IMW120R007M1H_IMW120R007M1HXKSA1 [晶体管]IMW120R040M1H_IMW120R040M1HXKSA1
封装：TO-247-3
说明：采用TO247-3封装的1200V 40mΩ CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET单管。
特征：
出类拔萃的开关损耗和导通损耗
高阈值电压，Vth > 4 V
0V关断栅极电压，实现简单的栅极驱动
宽栅源电压范围
坚固的低损耗体二极管，适用于硬开关
关断损耗受温度影响小
.XT扩散焊技术，可实现一流的热性能
IMW120R007M1H_IMW120R007M1HXKSA1
封装：TO247-3
说明：采用 TO247-3 封装的 CoolSiC™ 1200 V、7 mΩ SiC 沟槽 MOSFET。
规格：
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：225A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9.9 毫欧 @ 108A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.2V @ 47mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：220 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+20V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：9170 nF @ 25 V
功率耗散（最大值）：750W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO247-3
封装/外壳：TO-247-3
明佳达电子，星际金华公司，长期供应及回收器件 IMW120R040M1H_IMW120R040M1HXKSA1，IMW120R007M1H_IMW120R007M1HXKSA1，有兴趣的朋友，欢迎随时联络我们！
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