供求IMW65R107M1H(650V)IGI60F100A1L(600V)晶体管
1、IMW65R107M1H MOSFET 650V将碳化硅的物理强度与器件性能、可靠性和易用性等特性相结合。该器件采用最先进的沟槽半导体工艺，在应用中损耗最低，运行可靠性最高。CoolSiC非常适合用于高温和恶劣环境应用。2、IGI60F100A1L 将单个 100 mΩ（典型值）600V 增强模式 CoolGaN 开关与专用栅极驱动器相结合，采用耐热增强型 8 x 8 mm QFN-21 封装。 由于输入和输出之间的电流功能隔离，功率级可以覆盖广泛的应用和拓扑。
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参数规格
1、型号：IMW65R107M1H /IMW65R107M1HXKSA1
描述：MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
FET 类型：N沟道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：650 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：107 mΩ
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-
Vgs（最大值）：-
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：75 W
工作温度：-55 °C ~ 150 °C
封装：TO247-3
2、型号：IGI60F100A1L（IGI60F100A1LAUMA1）集成 600V，功率级 CoolGaN晶体管
电流最大值：12.8 A
贴装：SMT
QG：3.1 nC
RDS (on) 最大：130 mΩ
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