60V,BUK9Y7R0-60ELX、BUK9Y8R8-60ELX N通道 车规级MOSFET
明佳达电子有限公司/星际金华（回收、供应）60V,BUK9Y7R0-60ELX、BUK9Y8R8-60ELX N通道 车规级MOSFET，如有需求，欢迎联系陈先生qq 1668527835 咨询。
1、BUK9Y7R0-60ELX 表面贴装型 N 通道 60V 125A（Ta） 238.4W（Ta） LFPAK56，Power-SO8
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：125A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.5 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：152 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：8327 pF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：238.4W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳：SC-100，SOT-669
2、BUK9Y8R8-60ELX 表面贴装型 N 通道 60V 110A（Ta） 194W（Ta） LFPAK56，Power-SO8
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：110A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.6 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：123 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6695 pF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：194W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳：SC-100，SOT-669
说明：BUK9Yx车用ASFET（面向安全气囊应用）与标准DPAK封装相比，LFPAK56可节省53%的空间。ASFET符合AEC-Q101标准，在部署安全气囊条件下能够可靠运行。这些应用专用MOSFET (ASFET) 可满足安全气囊应用的特殊需求，专注于增强安全工作区 (SOA) 性能，改进线性模式。典型应用包括：12V汽车系统和安全气囊爆管稳压器MOSFET。
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