（回收IGBT）IGW15N120H3FKSA1、IKW30N65ES5XKSA1通孔 PG-TO247-3
明佳达电子/星际金华供应、（回收IGBT）IGW15N120H3FKSA1、IKW30N65ES5XKSA1通孔 PG-TO247-3 分立半导体产品，如有需要，欢迎联系陈先生qq 1668527835 咨询洽谈。
1、IGW15N120H3FKSA1 1200V HighSpeed3 H3 IGBT器件是专门设计用于替代在开关频率低于70kHz的应用中的平面式 MOSFET，具有高效率和低开关损耗。该器件适用于包括焊接逆变器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和所有硬开关应用和软开关应用。
描述：IGBT 晶体管 沟槽型场截止 1200V 30A 217W 通孔 PG-TO247-3-1
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：60 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，15A
功率 - 最大值：217 W
开关能量：1.55mJ
输入类型：标准
栅极电荷：75 nC
25°C 时 Td（开/关）值：21ns/260ns
测试条件：600V，15A，35 欧姆，15V
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：PG-TO247-3-1
基本产品编号：IGW15N120
2、650V IKW30N65ES5XKSA1 是一款配有全额定电流二极管的中速开关IGBT，旨在满足 10kHz 和 40kHz 之间的开关应用需求，从而提高效率、缩短产品上市周期，降低电路设计复杂性和优化 PCB 材料成本。
IGBT 类型：沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：62 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V，30A
功率 - 最大值：188 W
开关能量：560µJ（开），320µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：70 nC
25°C 时 Td（开/关）值：17ns/124ns
测试条件：400V，30A，13 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：75 ns
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：PG-TO247-3
基本产品编号：IKW30N65
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