（供求IGBT）IGW50N65F5FKSA1、IKW50N65H5FKSA1 650V 晶体管
明佳达电子/星际金华（供求IGBT）IGW50N65F5FKSA1、IKW50N65H5FKSA1 650V 晶体管 通孔 PG-TO247-3，有意者欢迎联系陈先生qq 1668527835 咨询详谈。1、IGW50N65F5FKSA1 分立式IGBT针对开关>60kHz进行了优化，以提供最佳效率，弥补MOSFET和IGBT之间的差距。该650V TRENCHSTOP™ 5 F5 IGBT与碳化硅二极管共同针对低电感设计，提供的效率比650V TRENCHSTOP™ 5 H5系列高出1%。
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：150 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，50A
功率 - 最大值：305 W
开关能量：490µJ（开），160µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：120 nC
25°C 时 Td（开/关）值：21ns/175ns
测试条件：400V，25A，12 欧姆，15V
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：PG-TO247-3
基本产品编号：IGW50N65
2、IKW50N65H5FKSA1 650V IGBT是一款高速器件，设计具有终极效率，适用于开关速率大于30kHz的应用。该款高速5 IGBT采用TRENCHSTOP™ 5技术，集成了RAPID 1快速柔性反向并联二极管。
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：150 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，50A
功率 - 最大值：305 W
开关能量：520µJ（开），180µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：120 nC
25°C 时 Td（开/关）值：21ns/180ns
测试条件：400V，25A，12 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：57 ns
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：PG-TO247-3
基本产品编号：IKW50N65
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