晶体管：NTMFS3D6N10MCLT1G，NTMT090N65S3HF，NTMFS002P03P8ZT1G
深圳市明佳达电子，星际金华（供应及回收）原装库存器件！【供应，求购】晶体管：NTMFS3D6N10MCLT1G，NTMT090N65S3HF，NTMFS002P03P8ZT1G。
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
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NTMFS3D6N10MCLT1G：N通道晶体管 表面贴装型 100V 5-DFN（5x6）（8-SOFL
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：19.5A（Ta），131A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.6 毫欧 @ 48A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：60 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4411 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）：3W（Ta），136W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线
NTMT090N65S3HF：表面贴装型 N通道晶体管 650V 4-PQFN（8x8）
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：90 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 860µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：66 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2930 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：272W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：4-PQFN（8x8）
封装/外壳：4-PowerTSFN
NTMFS002P03P8ZT1G：表面贴装型 P通道晶体管 30V 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
FET 类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40.2A（Ta），263A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.4 毫欧 @ 23A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：217 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14950 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）：3.3W（Ta），138.9W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线
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