[供求] BSZ096N10LS5，BSC009NE2LS5I，BSC014N06NST N通道晶体管
深圳市明佳达电子，星际金华（供应及回收）原装库存器件！N通道晶体管：BSZ096N10LS5，BSC009NE2LS5I，BSC014N06NST（供应，求购）
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！
BSZ096N10LS5：N通道晶体管 表面贴装型 100V 40A
FET 类型 N通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
功率耗散（最大值） 69W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TSDSON-8-FL
封装/外壳 8-PowerTDFN
BSC009NE2LS5I：表面贴装型 N通道晶体管 25V PG-TDSON-8-7
FET 类型 N通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 40A（Ta），100A（Tc）
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），74W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TDSON-8-7
封装/外壳 8-PowerTDFN
BSC014N06NST：N通道晶体管 60V 表面贴装型
FET 类型 N通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A（Tc）
功率耗散（最大值） 3W（Ta），188W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TDSON-8 FL
封装/外壳 8-PowerTDFN
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