[栅极驱动器] 2ED2184S06F，1ED44176N01F，1EBN1001AE（供应，回收）
深圳市明佳达电子，星际金华（供应及回收）原装库存器件！[栅极驱动器] 2ED2184S06F，1ED44176N01F，1EBN1001AE（供应，求购）
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2ED2184S06F：半桥 栅极驱动器 IC 非反相
型号：2ED2184S06F
封装：8-SOIC
类型：电源管理（PMIC）- 栅极驱动器
2ED2184S06F 是一款半桥高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高压侧和低压侧参考输出通道。
产品属性：
驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：1.1V，1.7V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：2.5A，2.5A
输入类型：非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）：675 V
上升/下降时间（典型值）：15ns，15ns
工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-SOIC
1ED44176N01F：低端 栅极驱动器 IC CMOS，TTL 8-SOIC
型号：1ED44176N01F
封装：8-SOIC
类型：电源管理（PMIC）- 栅极驱动器
1ED44176N01F 是一款低压、功率 MOSFET 和 IGBT 非反相栅极驱动器。
产品属性：
驱动配置：低端
通道类型：单路
驱动器数：1
栅极类型：IGBT
电压 - 供电：12.7V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：1.2V，1.7V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：800mA，1.75A
输入类型：CMOS，TTL
上升/下降时间（典型值）：50ns，25ns
工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-SOIC
1EBN1001AE：高压侧或低压侧 栅极驱动器 IC
型号：1EBN1001AE
封装：14-SOIC
类型：电源管理（PMIC）- 栅极驱动器
1EBN1001AE 是一款 IGBT / MOSFET 栅极驱动器升压器，设计用于 10kW 以上的汽车电机驱动器。
产品属性：
驱动配置：高压侧或低压侧
通道类型：单路
驱动器数：1
栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 供电：13V ~ 18V
逻辑电压 - VIL，VIH：1.5V，3.5V
高压侧电压 - 最大值（自举）：1200 V
上升/下降时间（典型值）：50ns，90ns
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：14-SOIC
明佳达电子，星际金华（供应，回收）原装库存器件：2ED2184S06F，1ED44176N01F，1EBN1001AE [栅极驱动器]。
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