供求：SCT3040KRC15 / IPF015N10N5 / PSMN2R3-100SSEJ【MOSFET 晶体管】
明佳达电子（星际金华）长期供【供应】【回收】原装库存器件：SCT3040KRC15 / IPF015N10N5 / PSMN2R3-100SSEJ【MOSFET 晶体管】，有兴趣的朋友，欢迎随时联络我们！一、SCT3040KRC15：1200V 单 N-通道 MOSFET 晶体管
型号：SCT3040KRC15
封装：TO-247-4
类型：MOSFET 晶体管
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：55A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：52 毫欧 @ 20A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：107 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+22V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1337 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）：262W
工作温度：175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-4
二、IPF015N10N5：100V OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 晶体管
型号：IPF015N10N5
封装：TO-263-7
类型：MOSFET 晶体管
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Ta），276A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.53 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 279µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：210 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：16000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），375W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TO263-7-1
封装/外壳：TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
三、PSMN2R3-100SSEJ：100V N-通道功率 MOSFET 晶体管
描述：
PSMN2R3-100SSEJ 采用高可靠性铜夹 LFPAK88 封装的N-通道功率 MOSFET 晶体管，具有极低的 RDSon 和增强的安全工作区性能。
型号：PSMN2R3-100SSEJ
封装：LFPAK88
类型：MOSFET 晶体管
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：255A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.2 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：17200 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）：341W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：LFPAK88
深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件：SCT3040KRC15 / IPF015N10N5 / PSMN2R3-100SSEJ【MOSFET 晶体管】。
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！
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