器件：NDSH50120C【肖特基二极管】，NTBGS1D5N06C【MOSFET 晶体管】NTHL099N60S5
深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件：NDSH50120C【碳化硅肖特基二极管】，NTBGS1D5N06C【MOSFET 晶体管】NTHL099N60S5。【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！
NDSH50120C：1200V 53A 碳化硅肖特基二极管
一、描述：
NDSH50120C 是碳化硅肖特基二极管采用全新工艺技术，相较于硅基款，能够带来更加优越的开关性能和更高的可靠度。
型号：NDSH50120C
封装：TO-247-2
类型：碳化硅肖特基二极管
二、产品属性：
技术：SiC（碳化硅）肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V
电流 - 平均整流 (Io)：53A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 50 A
速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间 (trr)：0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：200 µA @ 1200 V
不同 Vr、F 时电容：3691pF @ 1V，100kHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-2
工作温度 - 结：-55°C ~ 175°C
NTBGS1D5N06C：60V 单N通道功率 MOSFET 晶体管
一、描述：
NTBGS1D5N06C 是一款小尺寸、设计紧凑的MOSFET，具有低RDS(on) 和低电容的单N沟道功率MOSFET晶体管。低RDS(on) 值可最大限度降低导通损耗，低电容可最大限度降低驱动器损耗。
型号：NTBGS1D5N06C
封装：D2PAK-7
类型：MOSFET 晶体管
二、产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Ta），267A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V，12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.55 毫欧 @ 64A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 318µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：78.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6250 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）：3.7W（Ta），211W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：TO-263（D2PAK）
封装/外壳：TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
NTHL099N60S5：600V N 通道功率 MOSFET 晶体管
型号：NTHL099N60S5
封装：TO-247-3
类型：MOSFET 晶体管
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：99 毫欧 @ 13.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 2.8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：48 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2500 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：184W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
页:
[1]