USB集线器控制器 USB4604I-1070HN，晶体管 C2M0280120D（C3M0016120D）RCX450N20
【供求】USB集线器控制器 USB4604I-1070HN，C2M0280120D（C3M0016120D）RCX450N20 晶体管，明佳达电子，星际金华长期供应及回收原装库存器件，有兴趣的朋友，欢迎随时联络我们！USB4604I-1070HN：USB 2.0 HSIC 高速 4 端口集线器控制器
型号：USB4604I-1070HN
封装：SQFN-48
类型：USB 2.0 高速集线器控制器
USB4604I-1070HN - 产品规格：
产品：USB集线器
类型：集线器控制器
标准：USB 2.0
速度：高速 (HS)
数据速率：480 Mb/s
电压 - 供电：1.8V ~ 3.3V
工作温度：-40°C ~ 85°C
安装风格：SMD/SMT
封装/外壳：SQFN-48
C2M0280120D：1200V N通道 SiCFET（碳化硅）MOSFET晶体管
型号：C2M0280120D
封装：TO-247-3
类型：碳化硅MOSFET晶体管
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
Vgs（最大值）：+25V，-10V
功率耗散（最大值）：62.5W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
C3M0016120D：1200V 单N-通道碳化硅MOSFET晶体管
型号：C3M0016120D
封装：TO-247-3
类型：碳化硅MOSFET晶体管
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：115A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
Vgs（最大值）：+15V，-4V
功率耗散（最大值）：556W（Tc）
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
RCX450N20：200V N通道功率MOSFET晶体管，TO-220-3
型号：RCX450N20
封装：TO-220-3
类型：MOSFET晶体管
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
Vgs（最大值）：±30V
功率耗散（最大值）：2.23W（Ta），40W（Tc）
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-220FM
封装/外壳：TO-220-3
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