sanfang007 发表于 6 天前

永源微AP70H06NF-60V N-Channel增强模式MOSFET

描述:
AP70H06NF采用先进的APM-SGTⅠ技术
提供出色的RDS(ON)低栅极电荷
并且可以在低至4.5V的栅极电压下工作。
该器件适用于电池保护或其它开关应用。
一般特性:
VDS = 60V ID =70A
RDS(ON) < 10mΩ @ VGS=10V (Type:7.5mΩ)
应用:电池保护
负载开关
不间断电源


深圳市芯美力科技,原厂授权代理
价格优势,需求电话:19928739245(微同)

页: [1]
查看完整版本: 永源微AP70H06NF-60V N-Channel增强模式MOSFET