FET 类型 | N 沟道 |
技术 | MOSFET（金属氧化物） |
漏源电压（Vdss） | 150V |
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 100A（Tc） |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 8V，10V |
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 7.2 毫欧 @ 100A，10V |
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 270μA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 93nC @ 10V |
Vgs（最大值） | ±20V |
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5470pF @ 75V |
FET 功能 | - |
功率耗散（最大值） | 300W（Tc） |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
安装类型 | 表面贴装 |
供应商器件封装 | PG-TO263-3-2 |
封装/外壳 | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
开关类型 | 通用 |
输出数 | 1 |
比率 - 输入:输出 | 1：1 |
输出配置 | 低端 |
输出类型 | N 通道 |
接口 | 开/关 |
电压 - 负载 | 36V（最大） |
电压 - 电源（Vcc/Vdd） | 不需要 |
电流 - 输出（最大值） | 12A |
导通电阻（典型值） | 35 毫欧（最大） |
输入类型 | 非反相 |
特性 | - |
故障保护 | 限流（固定），超温，过压 |
工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
供应商器件封装 | 8-SO |
电机类型 - AC，DC | 有刷直流 |
功能 | 驱动器 - 全集成，控制和功率级 |
输出配置 | 半桥（2） |
接口 | 并联，PWM |
技术 | 功率 MOSFET |
步进分辨率 | - |
应用 | 汽车级 |
电流 - 输出 | 30A |
电压 - 电源 | 5.5V ~ 18V |
电压 - 负载 | 5.5V ~ 18V |
工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 36-BFSOP（0.295"，7.50mm 宽）裸露焊盘 |
供应商器件封装 | PowerSSO-36 |
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