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标题: [N通道晶体管] IPL60R160CFD7，IPP65R110CFDA，IPP120N20NFD（供求） [打印本页]

作者: mingjiada 时间: 2023-11-7 10:32
标题: [N通道晶体管] IPL60R160CFD7，IPP65R110CFDA，IPP120N20NFD（供求）
IPL60R160CFD7：N通道晶体管 600V 16A 表面贴装型
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：160 毫欧 @ 6.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 340µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：31 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1330 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：95W（Tc）
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-VSON-4
封装/外壳：4-PowerTSFN

IPP65R110CFDA：N通道晶体管 650V 通孔
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：31.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：110 毫欧 @ 12.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：118 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3240 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）：277.8W（Tc）
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO220-3
封装/外壳：TO-220-3

IPP120N20NFD：N通道晶体管 200V 通孔
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：84A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：12 毫欧 @ 84A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：87 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6650 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）：300W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO220-3
封装/外壳：TO-220-3

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