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标题:
Si24R2E:2.4GHz,内置MCU的有源RFID标签芯片特点
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作者:
DN13
时间:
2025-2-28 16:18
标题:
Si24R2E:2.4GHz,内置MCU的有源RFID标签芯片特点
Si24R2
E集成NVM的超低功耗2.4GHzGFSK/FSK无线发射
芯片
BSP
;
Si24R2
E是一颗工作在2.4GHz ISM频段,专为低功耗有源
RFID
应用场合设计,集成
嵌入式
发射
基带
的无线发射
芯片
、128次可编程NVM存储器以及自动发射
模块
。工作频率范围为2400MHz-2525MHz,共有126个1MHz带宽的信道。 当打开启自动发射功能,内部Watchdog与内部RCOSC工作时,芯片睡眠状态下待机电流仅为700nA。当内部Timer定时到时,自动发射
控制器
自动完成数据从NVM的装载与发射,数据发射完成后,芯片立即进入睡眠状态,因此Si24R2E的平均功耗非常低,对于电池供电应用,可以非常容易实现五年以上的待机时间。
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Si24R2E操作方式非常方便,可以不需要外部
MCU
,可以自动完成数据装载与发射。NVM存储器可以存储
寄存器
配置与发射的数据内容,掉电后不会丢失,数据可保持10年以上。在3.3V供电电压下,无需外部高压,外部MCU可以通过芯片的四线
spi
接口完成NVM的配置编程,芯片最大可编程次数为128次,芯片支持NMV加锁,防止NVM配置数据回读,保证
用户
数据安全。
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Si24R2E也可以在外部MCU控制下工作,芯片不需要额外接口,外部
微控制器
(MCU)通过SPI接口对芯片少数几个寄存器配置即可以实现数据的发射,芯片完全兼容
Si24R1
发射功能,在不打开自动发射功能时,芯片功能与配置方法与Si24R2完全相同。
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