器件 IMW65R107M1H（IMW65R107M1HXKSA1）,IMBF170R1K0M1（IMBF170R1K0M1XTMA1）

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器件 IMW65R107M1H（IMW65R107M1HXKSA1）, IMBF170R1K0M1（IMBF170R1K0M1XTMA1）碳化硅（SiC）MOSFET单管

型号：IMW65R107M1H（IMW65R107M1HXKSA1）
封装：TO247-3
说明：650V CoolSiC™ MOSFET – 碳化硅（SiC）MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装，性能可靠且经济高效。
特征：
低电容
更高电流下经过优化的开关行为
具有低反向恢复电荷 (Qrr) 的整流稳健快速体二极管
卓越的门极氧化可靠性
出色的热性能
更高的雪崩耐量
可使用标准驱动程序

型号：IMBF170R1K0M1（IMBF170R1K0M1XTMA1）
封装：TO-263-7
说明：采用TO-263-7封装的1700V CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET；CoolSiC™ 1700 V, 1000 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增大爬电距离，针对反激式拓扑结构进行了优化，适用于众多电力应用场合下接入直流母线电压600 V至1000 V的辅助电源。
特征：
针对反激式拓扑结构进行了优化
开关损耗极低
兼容反激式控制器的12 V / 0 V栅源电压
完全可控的dV/dt，针对EMI进行优化
SMD（表面贴装）封装具有增大的爬电距离和电气间隙（> 7 mm）


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