采购一批功率MOSFET - IPLT60R024CM8 IQFH86N06NM5 IQFH68N06NM5 IQFH99N06NM5

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明佳达（供应）采购一批功率MOSFET - IPLT60R024CM8 IQFH86N06NM5 IQFH68N06NM5 IQFH99N06NM5，只接受全新原装，如您有这方面的库存需要处理，请和明佳达联系。
下面是这些产品的概述、及参数信息，仅供参考：

1、IPLT60R024CM8 600 V CoolMOS™ 8 功率晶体管
IPLT60R024CM8是一款 600V CoolMOS™ C8（CM8） 系列功率MOSFET，采用先进的超结（Superjunction）技术，是CoolMOS™ 7系列的继任者。该器件采用创新的 TOLT（Top-side cooling Leadless Transistor）顶部散热无引线封装，是业界首款采用顶部散热技术的表面贴装型高压MOSFET，专为高功率密度应用设计 。
基本参数
IDpuls max：359 A
安装方式：SMT
封装：TOLL（PG‑HDSOP‑16）
极性：:N
QG：122 nC
RDS (on) (@ Tj = 25°C)：19.99992 mΩ
特殊特性：最高效率与快速恢复二极管的卓越性价比
VDS max：600 V
此外，该系列集成了快速体二极管，可覆盖硬开关和软开关应用，实现单一产品系列支持所有主要功率拓扑，简化产品选型。

2、IQFH86N06NM5 OptiMOS™ 5 60 V 功率MOSFET
IQFH86N06NM5 是 60V OptiMOS™ 5 系列功率MOSFET，采用业界领先的薄晶圆技术和创新的沟槽设计。该器件采用 PG-TSON-12 封装（PQFN 8x6），专为低压驱动、电池供电应用和同步整流优化设计，是OptiMOS™ 5系列中的高性能大电流产品 。
IQFH86N06NM5在60V耐压等级下实现了业界领先的超低导通电阻（0.86mΩ最大值）和超大电流能力（394A连续电流），同时保持优异的热性能和开关特性，是大电流、高效率电源转换应用的理想选择 。
基本参数
ID (@25°C) 最大值：394 A
工作温度：-55 °C 至 175 °C
封装：PQFN 8x6
极性：N
QG (典型值 @10V)：137 nC
RDS (on) (@10V) 最大值：0.86 mΩ
VDS 最大值：60 V
VGS(th)：2.8 V

3、IQFH68N06NM5 460A OptiMOS™ 5 60 V 功率MOSFET
IQFH68N06NM5是 60V OptiMOS™ 5 系列功率MOSFET，采用先进的薄晶圆技术，专为低压驱动、电池供电应用和同步整流优化设计。该器件采用创新的 PQFN 8x6（PG-TSON-12）封装，在8mm×6mm的紧凑尺寸内实现了业界领先的性能，是电信、服务器、太阳能和电池管理应用的理想选择 。
技术参数
ID (@25°C) 最大值：460 A
工作温度：-55 °C 至 175 °C
封装：PQFN 8x6
极性：N
QG (典型值 @10V)：168 nC
RDS (on) (@10V) 最大值：0.68 mΩ
VDS 最大值：60 V
VGS(th)：2.8 V

4、IQFH99N06NM5 339 A、OptiMOS™ 5 60 V 功率MOSFET
IQFH99N06NM5 是一款 60V OptiMOS™ 5 系列功率MOSFET，采用先进的薄晶圆技术和创新的沟槽设计。该器件采用 PQFN 8×6（PG-TSON-12） 贴片封装，在紧凑的尺寸内实现了业界领先的性能，是低压驱动、电池供电和同步整流应用的理想选择 。
作为OptiMOS™ 5系列的旗舰产品，IQFH99N06NM5实现了极低的导通电阻（0.99mΩ）和极高的电流承载能力（339A），专为需要高效率和高功率密度的应用设计 。
产品参数
额定电流（@25°C）最大值：339 A
关断电流（典型值 @10V）：115 nC
导通电阻（@10V）最大值：0.99 mΩ
最大漏源电压：60 V
阈值栅极电压：2.8 V
封装：PQFN 8x6
工作温度：-55 °C 至 175 °C
极性：N
回收库存/供应库存请联系chen13410018555@163.com 明佳达陈先生。