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永源微AP70H06NF-60V N-Channel增强模式MOSFET:

描述：
AP70H06NF采用先进的APM-SGTⅠ技术
提供出色的RDS(ON)低栅极电荷
并且可以在低至4.5V的栅极电压下工作。
该器件适用于电池保护或其它开关应用。
一般特性：
VDS = 60V ID =70A
RDS(ON) < 10mΩ @ VGS=10V (Type：7.5mΩ)
应用：电池保护
负载开关
不间断电源

深圳市芯美力科技，原厂授权代理
价格优势，需求电话：19928739245（微同）

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