希力微 VDS=650V, ID=25A, 超结MOS，SSx65R160F系列采用先进的超结技术，能够实现非常低的导通电阻和栅极电荷。通过使用化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。该系列旨在最小化导通损耗，
SSx65R160F系列针对极端开关性能进行了，以最小化开关损耗。它专为高功率密度应用而设计，以满足最高效率标准。应用于：电脑电源 服务器电源 LED照明 电动汽车充电器 电信电源 太阳能/不间断电源系统SSD65R160FTRSSE65R160FTRSSF65R160FTHSSP65R160FTHSSQ65R160FTHSST65R160FTRSSW65R160FTR
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