NX3020NAKVYL和MEO450-12DA技术规格
NX3020NAKVYL 双N沟道MOS管产品资料，网上搜寻来的，仅供参考，具体请以实际操作为准。FET 类型2 个 N 沟道（双）
FET 功能标准
漏源电压（Vdss）30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）200mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）4.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）0.44nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）20pF @ 10V
功率 - 最大值260mW
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563，SOT-666
供应商器件封装SOT-666
MEO450-12DA是IXYS品牌的整流二极管器件，下面是我在网上查找到的资料，供大家参考：
二极管类型标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）1200V
电流 - 平均整流（Io）453A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf1.96V @ 520A
速度快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）500ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流24mA @ 1200V
不同 Vr，F 时的电容-
安装类型底座安装
封装/外壳Y4-M6
供应商器件封装Y4-M6
工作温度 - 结-40°C ~ 150°C
发布者：深圳市明佳达电子有限公司（专业从事批发零售各类型电子元器件）
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