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[最新技术] NX3020NAKVYL和MEO450-12DA技术规格

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发表于 2019-5-20 16:16:38 | 显示全部楼层 |阅读模式

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NX3020NAKVYL 双N沟道MOS管产品资料,网上搜寻来的,仅供参考,具体请以实际操作为准。
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
200mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
4.5 欧姆 @ 100mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.44nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
20pF @ 10V
功率 - 最大值
260mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-666


MEO450-12DA  是IXYS品牌的整流二极管器件,下面是我在网上查找到的资料,供大家参考:
二极管类型
标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)
1200V
电流 - 平均整流(Io)
453A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf
1.96V @ 520A
速度
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)
500ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流
24mA @ 1200V
不同 Vr,F 时的电容
-
安装类型
底座安装
封装/外壳
Y4-M6
供应商器件封装
Y4-M6
工作温度 - 结
-40°C ~ 150°C


发布者:深圳市明佳达电子有限公司(专业从事批发零售各类型电子元器件)
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