英飞凌表面贴装型《BSP603S2L、IPT059N15N3》N通道场效应晶体管
深圳市星际金华公司供应英飞凌表面贴装型《BSP603S2L、IPT059N15N3》N通道场效应晶体管 百分百全新原装现货 有接受价可详谈一、型号 BSP603S2L
描述 MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT-223
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 55V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 33 毫欧 @ 2.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 42nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1390pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-SOT223-4
封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA
二、型号 IPT059N15N3ATMA1
描述 MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 150V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 155A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 5.9毫欧 @ 150A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 92nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 7200pF @ 75V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 375W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-HSOF-8-1
封装/外壳 8-PowerSFN
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