英飞凌表面贴装型《BSP603S2L、IPT059N15N3》N通道场效应晶体管

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深圳市星际金华公司供应英飞凌表面贴装型《BSP603S2L、IPT059N15N3》N通道场效应晶体管   百分百全新原装现货   有接受价可详谈

一、型号 BSP603S2L
描述        MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT-223
FET 类型        N 通道
技术        MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）        55V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)        5.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）        4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）        33 毫欧 @ 2.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）        2V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）        42nC @ 10V
Vgs（最大值）        ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）        1390pF @ 25V
FET 功能        -
功率耗散（最大值）        1.8W（Ta）
工作温度        -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型        表面贴装型
供应商器件封装        PG-SOT223-4
封装/外壳        TO-261-4，TO-261AA



二、型号        IPT059N15N3ATMA1
描述        MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
FET 类型        N 通道
技术        MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）        150V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)        155A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）        8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）        5.9毫欧 @ 150A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）        4V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）        92nC @ 10V
Vgs（最大值）        ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）        7200pF @ 75V
FET 功能        -
功率耗散（最大值）        375W（Tc）
工作温度        -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型        表面贴装型
供应商器件封装        PG-HSOF-8-1
封装/外壳        8-PowerSFN



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