锐骏MOS管 RU207C 20V/6A N沟道MOSFET 可用于电源管理应用
锐骏半导体 SOT23-3封装的N沟道增强型功率MOSFET——RU207C，采用超高密度单元设计，漏源电压最大额定值为20V，连续漏极电流最大额定值为6A（TA=25℃），具有低导通电阻特性，可靠、坚固，可用于电源管理应用。产品特点20V/6ARDS(ON)=10mΩ（典型值）@VGS=4.5VRDS(ON)=15mΩ（典型值）@VGS=2.5V低导通电阻超高密度单元设计可靠、坚固无铅、绿色环保器件，满足RoHS标准
应用电源管理
锐骏一级代理 可提供样品支持 技术支持 代理价格 稳定供应杨生 13250262776 【同微】QQ 3400632246
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