锐骏MOS管 RU207C 20V/6A N沟道MOSFET 可用于电源管理应用

芯美力杨生

锐骏半导体 SOT23-3封装的N沟道增强型功率MOSFET——RU207C，采用超高密度单元设计，漏源电压最大额定值为20V，连续漏极电流最大额定值为6A（TA=25℃），具有低导通电阻特性，可靠、坚固，可用于电源管理应用。

产品特点

20V/6A

RDS(ON)=10mΩ（典型值）@VGS=4.5V

RDS(ON)=15mΩ（典型值）@VGS=2.5V

低导通电阻

超高密度单元设计

可靠、坚固

无铅、绿色环保器件，满足RoHS标准

应用

电源管理

锐骏一级代理 可提供样品支持 技术支持 代理价格 稳定供应

杨生 13250262776 【同微】

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