器件：IGT65R045D2【CoolGaN 晶体管】，IPTG017N12NM6【MOSFET 晶体管】IPP022N12NM6
深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件：IGT65R045D2【CoolGaN 晶体管】，IPTG017N12NM6【MOSFET 晶体管】IPP022N12NM6。【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
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IGT65R045D2：650V CoolGaN™ 增强型功率晶体管
型号：IGT65R045D2
封装：PG‑HSOF‑8
类型：CoolGaN™ 晶体管
描述：IGT65R045D2 是一种高效 GaN（氮化镓）晶体管技术，用于电压范围高达 650 V 的功率转换。
产品特征：
650V 电子模式功率晶体管
增强型晶体管 - 常闭开关
超快开关
无反向恢复电荷
能够反向传导
低栅极电荷、低输出电荷
卓越的换向坚固性
低动态 RDS(on)
底部冷却封装
IPTG017N12NM6：120V OptiMOS™ 6 功率 N-通道 MOSFET 晶体管
型号：IPTG017N12NM6
封装：PG-HSOG-8
类型：MOSFET 晶体管
描述：IPTG017N12NM6 是一款正常电平 120V N-通道 MOSFET 晶体管，采用 TOLG 封装，导通电阻为 1.7 mOhm。
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：32A（Ta），331A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.7 毫欧 @ 150A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 275µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：141 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：11000 pF @ 60 V
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），395W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-HSOG-8-1
封装/外壳：8-PowerSMD，鸥翼
IPP022N12NM6：120V OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶体管
型号：IPP022N12NM6
封装：TO-220-3
类型：MOSFET 晶体管
描述：IPP022N12NM6 是一款普通级 120V OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶体管，采用 TO-220-3 封装，导通电阻为 2.2 mOhm。
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：29A（Ta），203A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.2 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 275µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：141 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：11000 pF @ 60 V
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），395W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO220-3-1
封装/外壳：TO-220-3
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