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[供应] 器件:IGT65R045D2【CoolGaN 晶体管】,IPTG017N12NM6【MOSFET 晶体管】IPP022N12NM6

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发表于 2024-7-9 11:04:17 | 显示全部楼层 |阅读模式

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深圳市明佳达电子,星际金华长期(供应及回收)原装库存器件:IGT65R045D2【CoolGaN 晶体管】,IPTG017N12NM6【MOSFET 晶体管】IPP022N12NM6。
【供应】只做原装,库存器件,价格方面由于浮动不一,请以当天询问为准!
【回收】只需原装库存器件,须有原厂外包装标签,有库存的朋友,欢迎随时联络我们!

IGT65R045D2:650V CoolGaN™ 增强型功率晶体管
型号:IGT65R045D2
封装:PG‑HSOF‑8
类型:CoolGaN™ 晶体管
描述:IGT65R045D2 是一种高效 GaN(氮化镓)晶体管技术,用于电压范围高达 650 V 的功率转换。
产品特征:
650V 电子模式功率晶体管
增强型晶体管 - 常闭开关
超快开关
无反向恢复电荷
能够反向传导
低栅极电荷、低输出电荷
卓越的换向坚固性
低动态 RDS(on)
底部冷却封装

IPTG017N12NM6:120V OptiMOS™ 6 功率 N-通道 MOSFET 晶体管
型号:IPTG017N12NM6
封装:PG-HSOG-8
类型:MOSFET 晶体管
描述:IPTG017N12NM6 是一款正常电平 120V N-通道 MOSFET 晶体管,采用 TOLG 封装,导通电阻为 1.7 mOhm。
产品属性:
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A(Ta),331A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):8V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.7 毫欧 @ 150A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 275µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):141 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):11000 pF @ 60 V
功率耗散(最大值):3.8W(Ta),395W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PG-HSOG-8-1
封装/外壳:8-PowerSMD,鸥翼

IPP022N12NM6:120V OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶体管
型号:IPP022N12NM6
封装:TO-220-3
类型:MOSFET 晶体管
描述:IPP022N12NM6 是一款普通级 120V OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶体管,采用 TO-220-3 封装,导通电阻为 2.2 mOhm。
产品属性:
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A(Ta),203A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):8V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.2 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 275µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):141 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):11000 pF @ 60 V
功率耗散(最大值):3.8W(Ta),395W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
供应商器件封装:PG-TO220-3-1
封装/外壳:TO-220-3

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