[供求] FS32K142HFT0VLLT，GTVA262701FA-V2-R2，AMC1306M05DWVR 规格信息

mingjiada

一、FS32K142HFT0VLLT：32位单核微控制器IC 80MHz 100-LQFP
型号：FS32K142HFT0VLLT
封装：LQFP-100
类型：32位单核微控制器IC
产品说明：FS32K142HFT0VLLT 是32位单核微控制器，采用100引脚LQFP封装，工作频率高达80MHz。该器件基于ARM® Cortex®-M4F内核，具有高级功能安全、信息安全和软件支持，适用于工业和汽车ASIL B/D车身、区域控制和电气化应用。
产品属性：
核心处理器：ARM® Cortex®-M4F
内核规格：32 位单核
速度：80MHz
I/O 数：89
程序存储容量：256KB（256K x 8）
程序存储器类型：闪存
EEPROM 容量：4K x 8
RAM 大小：32K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：2.7V ~ 5.5V
数据转换器：A/D 16x12b SAR; D/A1x8b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：100-LQFP（14x14）

二、GTVA262701FA-V2-R2：热增强型大功率射频碳化硅氮化镓 HEMT 晶体管
型号：GTVA262701FA-V2-R2
封装：H-87265J-2
类型：碳化硅氮化镓 HEMT 晶体管
产品说明：GTVA262701FA-V2-R2 是一款 270 瓦的碳化硅氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT)，适用于多标准蜂窝功率放大器应用。
产品属性：
技术：碳化硅氮化镓 HEMT
频率：2.62GHz ~ 2.69GHz
增益：17dB
电流 - 测试：320mA
功率 - 输出：270W
Vds-漏源极击穿电压: 125V
Vgs-栅源极击穿电压 : -10V ~ 2V
Id-连续漏极电流: 12A
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：H-87265J-2

三、AMC1306M05DWVR：具有高 CMTI 的高精度强化隔离型三角积分调制器
型号：AMC1306M05DWVR
封装：8-SOIC
类型：调制器
产品说明：AMC1306M05DWVR 是一种高精度、强化隔离型三角积分调制器，其输出与输入电路之间由一个电容性双隔离屏障隔开，具有很强的抗磁干扰能力。
产品特征：
±50mV 或 ±250mV 输入电压范围
卓越的直流性能：
- 偏移误差：±50 µV 或 ±100 µV（最大值）
- 偏移漂移：1 µV/°C（最大值）
- 增益误差：±0.2%（最大值）
- 增益漂移：±40 ppm/°C（最大值）
瞬态抗扰度：100 kV/µs（典型值）
工业温度范围：-40°C 至 +125°C

深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件！
【元器件】FS32K142HFT0VLLT【32位单核微控制器】，GTVA262701FA-V2-R2【HEMT 晶体管】，AMC1306M05DWVR【调制器】（供应，回收）
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！