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[供应] 深爱半导体DMOS产品N-沟道超级结功率 MOS 管

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发表于 2024-9-19 09:52:51 | 显示全部楼层 |阅读模式

导通电阻低 开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范
●特点:新高压器件技术 低导通电阻和低传导损耗 封装小 超低栅极电荷导致较低的驱动要求
100%雪崩测试 符合RoHS规范
●FEATURES:■NEW TECHNOLOGY FOR HIGH VOLTAGE DEVICE ■LOW ON-RESISTANCE AND LOW
CONDUCTION LOSSES ■SMALL PACKAGE ■ULTRA LOW GATE CHARGE CAUSE LOWER DRIVING
REQUIREMENTS ■100% AVALANCHE TESTED■ROHS COMPLIANT
●应用:功率因数校正(PFC) 开关电源(SMPS) UPS 电源
●APPLICATION: ■POWER FACTOR CORRECTION (PFC) ■SWITCHED MODE POWER SUPLIES(SMPS) ■
UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY(UPS)
●最大额定值(TC=25C)
●Absolute Maximum Ratings(Tc=25C) TO-220/220FP/262/263
参数
PARAMETER
符号
SYMBOL
额定值
VALUE
单位
UNIT
漏-源电压
Drain-source Voltage VDS 650 V
栅-源电压
gate-source Voltage VGS ±30 V
漏极电流
Continuous Drain Current TC=25℃
ID 11 A
漏极电流
Continuous Drain Current TC=100℃
ID 7 A
最大脉冲电流
Drain Current -Pulsed ①
IDM 33 A
耗散功率
Power Dissipation PD Others:83 W 220FP:31
最高结温
Junction Temperature Tj 150 C
存储温度
Storage Temperature TSTG -55-150 C
漏源电压斜率
Drain Source voltage slope dV/dt 50 V/ns
单脉冲雪崩能量
Single Pulse Avalanche Energy ②
EAS 272 mJ


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