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[供应] 锐骏200V低压和600V高压MOS对于电机控制和电源管理方案

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发表于 2024-9-23 16:22:12 | 显示全部楼层 |阅读模式
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电机控制

锐骏Super Trench MOSFET系列产品采用屏蔽栅深沟槽技术,全面提升了器件的开关特性和导通特性,同时降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg), 配合先进的封装技术,提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度,同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量,实现快速、平稳、高效的电源管理和电机控制。



锐骏Super Trench MOSFET系列产品采用屏蔽栅深沟槽技术,全面提升了器件的开关特性和导通特性,同时降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg), 配合先进的封装技术,提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度,同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量,实现快速、平稳、高效的电源管理和电机控制。

产品类型:Trench MOS(低压)

产品简介:沟槽型工艺,适用于200V以下低压领域,大电流、大串数等应用场景。

应用场景:锂电保护;电动车、平衡车无刷电机;电子烟等。

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产品类型:SGT MOS(中低压)

产品简介:屏蔽栅沟槽型工艺,内阻低、开关速度快,适用于中低压小串数应用场景。

应用场景:家电电机;PD快充、多口USB、反激式电源等。

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产品类型:Super Junction MOS(高压)

产品简介:高压超结工艺,效率更高、更可靠,适用于600V以上高压应用领域,行业前沿拓展产品。

应用场景:PC电源开关、电池、逆变器等。



此为RU15P12C的部分参数 可无偿分享

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行业内率先通过 ISO9001、ISO14001质量体系认证的高新技术企业。

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