STM32L433RBT6 和 NTMFS4C028NT1G 原装电子器件

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STM32L433RBT6 和 NTMFS4C028NT1G 原装电子器件
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深圳市明佳达电子有限公司  www.hkmjd.com
深圳市星际金华实业有限公司  www.xjjhic.com
QQ：1668527835

型号：STM32L433RBT6
封装：64-LQFP（10x10）
批次：新
类型：嵌入式 - 微控制器
核心处理器：ARM® Cortex®-M4
内核规格：32 位单核
速度：80MHz
连接能力：CANbus，I²C，IrDA，LINbus，MMC/SD，QSPI，SAI，SPI，SWPMI，UART/USART，USB
外设：欠压检测/复位，DMA，LCD，PWM，WDT
I/O 数：52
程序存储容量：128KB（128K x 8）
程序存储器类型：闪存
EEPROM 容量 -
RAM 大小：64K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.71V ~ 3.6V
数据转换器：A/D 16x12b；D/A 2x12b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：64-LQFP
供应商器件封装：64-LQFP（10x10）

型号：NTMFS4C028NT1G
封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
批次：新
类型：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16.4A（Ta），52A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.73 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：22.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1252 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值）：2.51W（Ta），25.5W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线