供求 FF300R12ME7B11/FF300R12ME7B11BPSA1，FF800R12KE7/FF800R12KE7HPSA1

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供求 FF300R12ME7B11/FF300R12ME7B11BPSA1，FF800R12KE7/FF800R12KE7HPSA1 晶体管 - IGBT模块


深圳市明佳达电子，星际金华公司 长期供应及回收器件：FF300R12ME7B11/FF300R12ME7B11BPSA1，FF800R12KE7/FF800R12KE7HPSA1。
【供应】公司只做原装，库存器件，质量保证，价格方面由于浮动不一，请以当天报价为准！
【求购】公司只需原装器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！
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【供应/求购】
型号：FF300R12ME7B11 / FF300R12ME7B11BPSA1
类型：分立半导体产品 - 晶体管 - IGBT - 模块
说明：IGBT 模块 沟槽型场截止 2 个独立式 1200 V 300 A 20 mW 底座安装 AG-ECONOD

IGBT 类型：沟槽型场截止
配置：2 个独立式
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：300 A
功率 - 最大值：20 mW
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.75V @ 15V，300A
电流 - 集电极截止（最大值）：20 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)：46 nF @ 25 V
输入：标准
NTC 热敏电阻：是
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块
供应商器件封装：AG-ECONOD


【供应/求购】
型号：FF800R12KE7 / FF800R12KE7HPSA1
类型：分立半导体产品 - 晶体管 - IGBT - 模块
说明：IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 1200 V 800 A 底座安装 AG-62MM

IGBT 类型：沟槽型场截止
配置：半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：800 A
电流 - 集电极截止（最大值）：100 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)：122 nF @ 25 V
输入：标准
NTC 热敏电阻：无
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块
供应商器件封装：AG-62MM