供求 FS03MR12A6MA1LBBPSA1 （FS03MR12A6MA1LB）碳化硅 MOSFET 模块

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供求 FS03MR12A6MA1LBBPSA1 （FS03MR12A6MA1LB）碳化硅 MOSFET 模块

型号：FS03MR12A6MA1LBBPSA1 （FS03MR12A6MA1LB）
类型：碳化硅 MOSFET 模块
FET 类型：6 N-沟道（3 相桥）
FET 功能：碳化硅（SiC）
漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：400A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.7 毫欧 @ 400A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.55V @ 240mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：1320nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：42.5nF @ 600V
功率 - 最大值：20mW
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块

深圳市明佳达电子，星际金华公司 长期供应及回收型号：FS03MR12A6MA1LBBPSA1 （FS03MR12A6MA1LB）。
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